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本发明提供了一种横向异质结pin光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，横向异质结pin光电二极管包括：蓝宝石衬底1、p型NiO外延层2、含镁离子的β‑Ga2O3外延层3、n型β‑Ga2O3外延层4、n型欧姆接触7、p型欧姆接触8、金属焊盘9；其中，p型NiO外延层2、含镁离子的β‑Ga2O3外延层3、n型β‑Ga2O3外延层4依次横向排列于蓝宝石衬底1正面；金属焊盘9连接于p型欧姆接触8；SiNx钝化保护层5，设置于在p型NiO外延层2、n型β‑Ga2O3外延层4和蓝宝石衬底1刻蚀的台阶上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457780A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311458763.6H01L31/18(2006.01)
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