一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装方法及其封装结构.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装方法及其封装结构，属于半导体元器件封装技术领域。在封装外壳多层陶瓷底座上设计不同的平底凹坑，将功能区与热沉区集成在不同的平底凹坑内，在芯片焊接区、引线键合区以及底部引脚区制作金属化层；采用金属通孔实现多层陶瓷之间的电气连接；芯片焊接区采用下沉设计，热沉区贯穿陶瓷底座本体，用于安装金属热沉，功能区高于热沉顶面，与引线键合区形成高度落差；按电路设计要求，将芯片组装在设定的区域，并进行内引线键合；封装外壳的金属盖板与陶瓷底座的环形边框之间为密封焊接。解决了现有技术存在可靠性

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457597A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311762947.1H01L23/13(2006.01)

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