一种六边屏蔽型埋沟井槽SIC MOSFET结构.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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一种六边屏蔽型埋沟井槽SIC MOSFET结构.pdf

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本发明公开一种六边屏蔽型埋沟井槽SICMOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入埋沟井槽，减小单个重复元胞尺寸增大电流密度，同时增强器件防栅源击穿性能，六边形MOS元胞中具有屏蔽结构，屏蔽结构可以提高器件的雪崩能力，还可以在高漏源偏压下将细径段JFET电流通道极大程度的耗尽，大幅降低器件发生短路时的饱和电流，从而有效降低器件短路时内部的热产生和热积累，提高器件的短路能力，用六边形元胞的SiCMOSFET上的P阱侧面底部JFET区引入屏蔽结构，减少了源区的面积占比

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457716A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311547638.2

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

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