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本发明提供的一种链式扩散工艺及链式扩散设备，解决链式扩散后得到的p‑n结表面磷浓度高、结深浅，表面少子复合几率增加、结区漏电严重的问题和硅片基体内存在的杂质容易形成符合中心，体内复合几率增加的问题，在太阳能电池片生产的扩散工序中，使p‑n结表面磷表面浓度降低，结深得到增加，减小表面少子复合和结区漏电情况，并对对硅片基体内杂质进行吸杂，降低体内复合几率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108447949A
(43)申请公布日
2018.08.24
(21)申请号20181
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