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本发明公开了一种用于台面型光电芯片的背部填充方法及其应用，采用与外延层材料热膨胀系数相近的介质对衬底外延片表面刻蚀形成的沟槽回填后，对回填形成的介质膜进行平坦化处理，然后将介质膜指定区域刻蚀开口，使外延层材料暴露出来之后生长金属得到台面型光电芯片的器件，将台面型光电器件与电路互联再点胶填充即可。本发明提供的方法能有效解决深槽有机胶填充过程中存在的空洞和不均匀问题，提高了芯片的可靠性，可用于不同规格的台面型光电芯片的制造。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457573A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311501563.4
(22)申请日2023.11.13
(71)申请人浙江超晶晟锐光电有限公司
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