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薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备.pdfVIP

薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备.pdf

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    本发明公开了一种薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备，通过在加热盘承载区域的边缘部分设置环形的凸起结构或环形的凹陷结构，这样可以根据薄膜沉积过程中等离子体在晶圆中心部分还是边缘部分的分布强度大来相应在加热盘承载区域边缘部分设置凹陷结构或者凸起结构，以此承载区域边缘部分至喷淋板间的距离，相应降低或提高等离子体在承载区域边缘部分的分布强度，从而改变晶圆边缘部分沉积薄膜的质量，从而保证晶圆中心部分和边缘部分的薄膜质量均匀性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117448789A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202311578564.9

    (22)申请日2023.11.23

    (71)申请人拓荆科技(上海)

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