NP4834QR 30V双N沟道增强型MOSFET PDFN3.3×3.3-8L 深圳恒锐丰科技.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.13万字
约 4页
2024-01-31 发布于广东
举报
版权申诉

NP4834QR 30V双N沟道增强型MOSFET PDFN3.3×3.3-8L 深圳恒锐丰科技.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

NP4834

30VDualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DescriptionSchematicdiagram

TheNP4834usesadvancedtrenchtechnologytoD1D2

司

provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.

公

Thisdeviceissuitableforhighsideswitchin

限G1G2

SMPSandgeneralpurposeapplications.

有

GeneralFeatures司

技

S1S2

VDS=30V,ID=10A公

科

RDS(ON)=9mΩ(typical)@VGS=10V限

丰Markingandpinassignment

RDS(ON)=12.4mΩ(typical)@VGS=4.5V

锐有

ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM)司PDFN3.3×3.3-8L

恒技

Verylowon-resistanceRDS(ON)公

市科D1D1D2D2D2D2D1D1

150°Coperatingtemperature限

Pb-freeleadplating丰

圳有

100%UIStested锐NP4834

深恒技XXXXX司

Application科YYYYY公

市限

DC/DCConverter丰

圳

Idealforhigh-frequencyswitchingand有G1

深锐S1G1S2G2G2S2S1

synchronousrectification恒技司

TopViewBottomView

Package市科公

Note：X

您可能关注的文档

文档评论（0）

***** + 关注: 实名认证

文档贡献者

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS管，方案配套

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

NP4834QR 30V双N沟道增强型MOSFET PDFN3.3×3.3-8L 深圳恒锐丰科技.pdfVIP