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直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为的开题报告

【摘要】

直拉单晶硅在光伏行业中广泛应用，而内吸杂和金属沉淀等缺陷会导致其性能下降。本文将深入研究直拉单晶硅的内吸杂效应及铜沉淀行为，通过实验和分析来寻找解决方案。

首先，本文介绍了直拉单晶硅的制备方法和内吸杂效应的成因，分析了内吸杂对单晶硅晶格和电学性能的影响。

其次，本文研究了在单晶硅中掺入不同浓度的铜，并通过导电性、荧光等性质表征了铜的沉淀行为和规律。结果表明，随着铜浓度的增加，沉淀数量增加，会导致晶格的损伤和电学性能下降。

最后，本文提出了针对直拉单晶硅的内吸杂和铜沉淀问题的解决方案，包括人工调节杂质浓度、控制晶体的生长速度以及优化晶体制备过程等。

关键词：直拉单晶硅；内吸杂；铜沉淀；制备工艺；解决方案。

【Abstract】

Directlydrawingmonocrystallinesiliconiswidelyusedinthephotovoltaicindustry,butdefectssuchasimpurityingressionandmetalprecipitationcanleadtodecreasedperformance.Thispaperwillstudytheingressioneffectandcopperprecipitationbehaviorofdirectlydrawingmonocrystallinesilicon,andseeksolutionsthroughexperimentationandanalysis.

Firstly,thispaperintroducesthepreparationmethodofdirectlydrawingmonocrystallinesiliconandthecauseofingressioneffect,andanalyzestheimpactofingressiononthemonocrystallinesiliconlatticeandelectricalproperties.

Secondly,thispaperresearchedthebehaviorofcopperprecipitationinmonocrystallinesilicondopedwithdifferentconcentrationsofcopper,andcharacterizedtheprecipitationbehaviorandrulesofcopperthroughconductivity,fluorescenceandotherproperties.Theresultsshowedthatwiththeincreaseofcopperconcentration,theamountofprecipitationincreased,whichwouldleadtothedamageofthelatticeanddecreasedelectricalproperties.

Finally,thispaperproposessolutionstotheproblemsofingressionandcopperprecipitationindirectlydrawingmonocrystallinesilicon,includingartificialadjustmentofimpurityconcentration,controlofcrystalgrowthrateandoptimizationofcrystalpreparationprocess.

Keywords:Directlydrawingmonocrystallinesilicon;Impurityingression;Copperprecipitation;Preparationprocess;Solutions.