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2024-01-31 发布于四川
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本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和源漏电极层，栅极绝缘层至少包括低速沉积的第一栅极绝缘层，高速沉积的第二栅极绝缘层和低速沉积的第三栅极绝缘层，第一栅极绝缘层与栅极接触，第三栅极绝缘层与有源层接触，第一栅极绝缘层和第三栅极绝缘层的致密度大于第二栅极绝缘的致密度；通过将栅极绝缘层设置为致密度不同的多层结构，使薄膜晶体管可兼顾器件性能和生产效率，同时以较低的成膜速率形成与栅极接触的第一栅极绝缘层，从而避免甲硅烷流量过大，甲硅烷分解

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476751A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202310770719.2H01L27/12(2006.01)

(22)申请日2023.06.

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