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本发明涉及半导体技术领域，公开了用于硅片表面的图案化架构方法。本发明通过将附着材料设置在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al2O3薄膜沉积，使得Al2O3薄膜沉积在非沉积区域以外的区域，实现Al2O3薄膜的选择性沉积，在硅片表面图案化架构Al2O3薄膜，并在沉积过程中促使硅片基底非沉积区域上的附着材料与硅片分离，Al2O3薄膜沉积后涂层易去除。本发明提供的选择性沉积方法在特定区域沉积得到的Al2O3薄膜，均匀性良好。在微电子器件制造中，不同部分需要
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476441A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311816412.8
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人无锡松煜科技有限公司
地
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