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本发明公开了一种集成横向续流二极管的RC‑IGBT，属于半导体功率器件技术领域。横向续流二极管利用终端耐压区制作，其核心结构是由N型掺杂区和P型掺杂区组成的双异型掺杂横向耐压层。通过在沟道终止区上设置电极并外接导线将其与背面发射极电极相连，使横向续流二极管与IGBT反并联在一起。双横向耐压层的引入改善了器件的反向恢复特性，使续流二极管的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小，进而使得反向恢复损耗更低。同时，减少了背部光刻和选择性注入工艺，成本更低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476745A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311677534.3
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人重庆大学
地址400044
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