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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2024-01-31 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有介质层，介质层覆盖栅极结构顶部；在栅极结构两侧的介质层内形成露出源漏掺杂层顶部的第一接触孔；在第一接触孔内形成与源漏掺杂层电连接的第一导电层，第一导电层顶部低于栅极结构顶部；形成第一导电层后，在第一导电层露出的第一接触孔侧壁上形成侧壁层；形成侧壁层后，在第一接触孔内形成第二导电层，第二导电层和第一导电层用于构成第一接触孔插塞。本发明实施例有利于降低第一接触孔插

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111200017A

    (43)申请公布日

    2020.05.26

    (21)申请号20181

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