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本发明公开了一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法包括：步骤1、建立蒙特卡罗程序源项计算区域，利用蒙特卡罗程序建立质子束轰击晶圆的几何模型，以模拟质子加速器辐照过程；步骤2、利用程序建立球形探测器包覆晶圆，记录次级中子的能谱、粒子数以及方向信息，并将其作为后续计算的源项，进行下一步计算；步骤3、利用中子分出截面法根据已有的源项信息，计算空间内以及屏蔽墙外的剂量影响。本发明通过两种方法进行耦合，可以显著提高辐射场的计算速度，部分场景计算速度提升超过百倍；通过中子的分出截面法的耦合计算，减
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117473843A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311556455.7G06F111/08(2020.01)
(22)申请日2023.11
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