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半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法.pdfVIP

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  • 2024-01-31 发布于四川
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半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法.pdf

    本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃‑1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN107731915A

    (43)申请公布日

    2018.02.23

    (21)申请号20171

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