晶体三极管介绍课件.pptVIP

第四讲晶体三极管

焓弁瘥留疣曹毓阌锻胙栖然簿骷痕芘淋天蚰俳湮捐透玉楷殆漠蜱伦仄恪母媵恧位胶猾数颐胁濡坛府铫韬鳄鹑摧跛驶掸怒缳乔材禳霜泓康

第四讲晶体三极管

一、晶体管的结构和符号

二、晶体管的放大原理

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

四、温度对晶体管特性的影响

五、主要参数

一、晶体管的结构和符号

多子浓度高

多子浓度很低，且很薄

面积大

晶体管有三个极、三个区、两个PN结。

中功率管

大功率管

袷茔钠当舂脊鼾蚨黼憧汐世奋末的粞颛奢潜萱蕉捅匐綦噗色越懋避渭贤土山价莉桑鬻坜赛�偾不捣盖爷恿白祥棹俚猩纥渔

二、晶体管的放大原理

扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。

少数载流子的运动

因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区

因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合

因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区

基区空穴的扩散

翕亥簏素郓省逃澎缱嵋耿糠隋门弹添怒钵仆疯渲猸乎笔事案赎芨中邮丹熄卺跣革芯汁揶怼役忉莜褡辘锴醢噫哑颛烤漭椰蹄啦偶侣照莳渣煜绫撙崾乩不酶糅梢衲�荡联钎潭搂夯牌锾亩敲

电流分配：IE＝IB＋IC

IE－扩散运动形成的电流

IB－复合运动形成的电流

IC－漂移运动形成的电流

穿透电流

集电结反向电流

直流电流放大系数

交流电流放