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TFT-LCD设计及制作（2）

■TFT工作原理■TFT基本结构

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TFT-LCD设计及制作■TFT工作原理■TFT基本结构

■各种TFT技术

TFT-LCD设计及制作MOSFET绝缘栅型场效应管（InsulatedGateFieldEffectTransistor，缩写为IGFET）的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用Si02绝缘层隔离，因此而得名。在IGFET中，目前应用最为广泛的是MOS场效应管（即金属-氧化物-半导体场效应管:Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor,缩写为MOSFET）

TFT-LCD设计及制作MOS结构是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）结构中的一种，当绝缘膜采用氧化膜时就是MOS结构，在硅器件中，氧化膜是通过硅衬底的热氧化形成的。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上。它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，是微处理器、半导体存储器等超大规模集成电路中的核心器件和主流器件，也是一种重要的功率器件。

TFT-LCD设计及制作根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时漏极电流也为零，管子是呈截止状态；加上正确的