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本发明公开了一种硅基耐高温宽谱吸收器，包括表面刻蚀有纳米柱阵列的硅基片，硅基片的表面交替沉积若干个由金属层和氮化物过渡层构成的周期性纳米保护层，周期性纳米保护层为沿纳米柱阵列表面生长且分布有不规则金属纳米颗粒的柱状结构，由所述刻蚀有纳米柱阵列的硅基片、周期性纳米保护层及金属纳米颗粒构成了结合金属纳米颗粒局域表面等离激元共振效应、氮化金属短波段共振吸收及三维硅纳米结构腔模共振效应的吸收器件。本发明采用离子源辅助磁控溅射技术制备的硅基宽谱吸收器，氮化物保护层不易靶中毒，易于大规模应用。本发明硅基宽谱
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117490260A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311440049.4C23C14/35(2006.01)
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