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2024-02-03 发布于四川
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本发明涉及一种检测重掺硼缺陷的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：重掺硼单晶硅棒线切后硅片按照每50枚中抽1枚组成先行片。第二步：对先行片进行双面研磨一次倒角和单面研磨进行二次倒角。第三步：二次倒角后进行碱腐蚀。第四步：先行片放入有HCL和H2O2混合液的清洗槽内进行清洗。第五步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷。第六步：检测合格的先行片进行双面抛光。第七步：抛光后使用槽式洗净机清洗。第八步：进行单面抛光。第九步：单面抛光后的硅片再次回到碱腐蚀。第十步：清洗完成烘干后用荧

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117491321A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202311290786.0

(22)申请日2023.10.08

(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

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