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本发明提供一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法，碳化硅平面MOS器件在间隙处通过金属覆盖层填充钝化层内侧的间隙，而非PI层填充钝化层内侧的间隙，该结构增加了cell区有效面积，还避免了PI层在间隙处对钝化层施加大的应力，即减少了钝化层在间隙侧壁的应力，起到了对钝化层的保护，改善了钝化层在间隙侧壁开裂的现象，从而优化了碳化硅平面MOS器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497598A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311686672.8
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司
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