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2024-02-03 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括存储区，存储区包括第一区和第二区；位于第一区内的第一隔离沟槽；位于第一隔离沟槽内的第一隔离层，第一隔离层覆盖第一隔离沟槽的底部表面和部分侧壁表面；位于第二区内的若干附加沟槽；位于第一隔离层暴露出的第一隔离沟槽的侧壁表面、附加沟槽的底部表面和侧壁表面、以及第二区的顶部表面的绝缘层；位于绝缘层上的上电极层，上电极层填充满第一隔离沟槽和附加沟槽，由衬底、绝缘层和上电极层构成电容结构。通过在第二区内形成若干附加沟槽，利用附加沟槽的底部表面和侧壁表面

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117500263A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202210857963.8

(22)申请日2022.07.20

(71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限

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