基于磁电层状结构的第Ⅱ类超导体磁通涡旋相的表征方法.pdfVIP

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2024-02-03 发布于四川
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基于磁电层状结构的第Ⅱ类超导体磁通涡旋相的表征方法.pdf

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本发明公开了基于磁电层状结构的第Ⅱ类超导体磁通涡旋相的表征方法，涉及超导体技术领域，其技术方案要点是：包括将具有压电效应的材料(压电材料层)和具有磁致伸缩效应的第Ⅱ类超导体材料(磁致伸缩材料层)机械复合，形成磁电层状结构。在本发明中，利用便宜又简单的复合磁电耦合技术研究了第Ⅱ类超导体，能够通过该方法全面地绘制超导磁通涡旋相图，包括下临界场Hc1、不可逆温度、上临界场Hc2以及区分涡旋玻璃态、涡旋液态和非涡旋态；同时，能够通过该方法也可以探测不同频率和不同强度的外磁场激励下涡旋液态的动力学行为；以

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117491917A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202311296854.4

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人重庆大学

地址400044

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