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本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，器件元胞单元包括半导体基板，半导体基板包括N型衬底及N型漂移区；在N型漂移区内设有P型体区及位于P型体区间的沟槽，其特征在于，P型体区上方设有N型源区和P型阱区，沟槽内设有栅氧化层、绝缘介质层及栅极多晶硅，N型源区与绝缘介质层左右邻接，在绝缘介质层、N型源区和P型阱区上方设有第一电极,N型衬底下方设有第二电极；本发明通过刻蚀浅接触孔，在器件相邻沟槽之间的硅表面区形成金属分别和N型源区、P型阱区的欧姆接触，省去了相邻两个
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108649072A
(43)申请公布日
2018.10.12
(21)申请号20181
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