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本公开提供了发光器件、显示装置及其制造方法。发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，该应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497657A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202310967137.3H01L27/15(2006.01)
(22)申请日2023.08.
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