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本发明提供一种闪存器件的掩膜版及制造方法，所述闪存器件的掩膜版包括有源区掩膜版和浮栅掩膜版，所述有源区掩膜版包括：存储掩膜版区和外围掩膜版区，所述存储掩膜版区和所述外围掩膜版区的交界处设有一第一有源区图形，在闪存器件的制造方法中，通过所述有源区掩膜版，可以在所述存储区和所述外围区的交界处定义第一有源区，在刻蚀外围区的介质层、控制栅层、浮栅层和浮栅氧化层时，由于所述存储区和所述外围区的交界处定义有第一有源区，在刻蚀过程中，若产生过刻蚀，过刻蚀的刻蚀对象为第一有源区的半导体衬底，相比现有技术，可以提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112071844A
(43)申请公布日2020.12.11
(21)申请号202010986500.2
(22)申请日2020.09.18
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
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