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本申请实施例涉及一种垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括提供依次层叠的第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层和欧姆接触层；形成环形的金属掺杂区，金属掺杂区从欧姆接触层的表面延伸至欧姆接触层的内部；在金属掺杂区内掺杂有第二导电类型金属掺杂元素；执行离子注入工艺，在第二导电半导体层中形成电流限制环，电流限制环的内部未被离子注入而形成电流注入孔；形成至少覆盖金属掺杂区表面的环形的第一电极；其中，第一电极的内环内部为出光孔，在垂直腔面发射激光器的厚度方向上，出光孔的位置与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117498152A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311687847.7
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司
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