Chap硅的晶体结构.ppt

Chap1硅的晶体结构;1.1硅晶体结构

;2.金刚石结构特点

（1）共价四面体：

硅由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一长度套构而成的。

一个原子在四面体的中心，另外4个同它共价的原子在正四面体的4个顶角上，这种四面体也称共价四面体。

（2）晶体内部的空隙

金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体内，同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的条件。;1.2晶向、晶面和堆积模型

;5.??双层密排面的特点：

(1)在晶面内原子结合力强，晶面与晶面之间距离较大，结合薄弱。

(2)两个双层面间，间距很大，而且共价键稀少，平均两个原子才有一个共价键，致使双层密排面之间结合脆弱。;6.???金刚石晶格晶面的性质：

（1）由于{111}双层密排面本身结合牢固，而双层密排面之间相互结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。这种易劈裂的晶面称为解理面。

（2）由{111}双层密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上。

（3）因{111}双层密排面之间距离很大，结合弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展。

（4）{111}双层密排面结合牢固，表明这样的晶面能量低。由于这个原因，在晶体生长中有一种使晶体表面为{111}晶面的趋势。;

1.3硅晶体中的缺陷

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图1.1.晶格中的点缺陷和类型

;二、线缺陷

在某一方向上延伸，在延伸方向的尺寸很大，在另两个方向的尺寸很小。

硅晶体大部分滑移面为（111）晶面。

三、面缺陷

二维缺陷，在两个方向上的尺寸都很大，另外一个方向上的尺寸很小。

1.多晶的晶粒间界。

2.层错

四、体缺陷;

1.4硅中杂质

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1.5杂质在硅晶体中的溶解度;3.?固溶体分类：按溶质在溶剂中存在形式。

（1）替位式固溶体：溶质原子占据溶剂晶格格点上的正常位置，而且杂质原子在各点上的分布是无序的。

(2)间隙式固溶体：溶质原子存在于溶剂晶格的间隙中，其分布也是无规则的。

4.某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准：

看这种杂质的最大固溶度是???大于所要求的表面浓度，如果表面浓度大于杂质的最大固溶度，那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。

;1.6硅单晶体制备;三、单晶硅性能的测试

1.????物理性质

2.????电气参数

导电类型,电阻率,非平衡少数载流子寿命测试

3.????缺陷检验

4.????杂质含量测试

;四、硅单晶的加工及质量要求

1.?切割（切片）：将半导体单晶按所需晶向切割成指定厚度的薄片

相关设备内圆切片机多刀切割机

;2.倒角：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。

相关设备倒角机;3.抛光：利用抛光剂对研磨后的晶片进行物理、化学的表面加工，以获取无晶格损伤的高洁净度、高平整度的镜面晶片。

相关设备单/双面抛光机单/多头抛光机;4.清洗：合理的清洗是保证硅片表面质量的重要条件。在晶片制备过程中需要多次清洗，以去除残留在晶片表面或边缘的废屑等。

相关设备清洗机冲洗甩干机

;Chap0,Chap1