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本发明涉及一种高密度纳米尺度线条的获得方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中使用价格昂贵的极紫外光刻机(ExtremeUltra‑violet，EUV)来减少牺牲层的宽度，制造成本高的问题。包括如下步骤：在衬底的上方依次形成介质层和非结晶硅层；使用激光照射掩膜版，进行所述非结晶硅层的部分区域的硅结晶，其中，所述非结晶硅层的部分区域进行硅结晶后形成的多晶硅的晶界由所述掩膜版上具有规则形状的孔口的间距决定；对所述非结晶硅层的多晶硅的晶界进行平坦化处理；使用腐蚀液去除所述晶界形成晶界沟槽；以及利
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524867A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311490581.7
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人中国科学院微电子研究所
地址1
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