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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取衬底，衬底具有填充有绝缘介质的沟槽；光刻并对绝缘介质进行湿法刻蚀，使一部分光刻胶下方的绝缘介质被去除从而形成悬空的光刻胶；通过去胶设备去除悬空的光刻胶，刻蚀窗口扩大；通过刻蚀窗口再次对绝缘介质进行湿法刻蚀，剩余的绝缘介质形成覆盖沟槽侧面的介质结构，且介质结构具有斜坡表面，斜坡表面与沟槽的底部的衬底的夹角为5至20度；在衬底中形成漏极区；在沟槽底部的衬底中形成源极区；形成栅极，栅极从介质结构的表面向源极区延伸，并覆盖漏极区的一侧。本发明通过两
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524874A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202210911820.0
(22)申请日2022.07.29
(71)申请人无锡华润上华科技有限公司
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