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实施例是方法，包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，该第一互连结构中包括介电层和金属化图案；对第一互连结构进行图案化以形成第一开口；用阻挡层涂覆第一开口；蚀刻穿过阻挡层和第一衬底的暴露部分的第二开口；在第一开口和第二开口中沉积衬垫；用导电材料填充第一开口和第二开口；以及减薄第一衬底以在第二开口中暴露导电材料的一部分，该导电材料延伸穿过第一介电层，并且第一衬底形成衬底通孔。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113517221A
(43)申请公布日2021.10.19
(21)申请号202110307488.2
(22)申请日2021.03.23
(30)优先权数据
63/000,40
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