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本发明涉及一种基于复合掩膜的SiC深刻蚀方法，包括：在SiC基片上淀积第一掩膜层；在第一掩膜层上溅射种子金属层；在种子金属层上制备第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层和种子金属层，以形成若干间隔排列的预设沟槽；去除剩余的光刻胶，刻蚀预设沟槽内的第一掩膜层至暴露SiC基片的上表面；利用等离子体刻蚀方式刻蚀预设厚度的预设沟槽内的SiC基片，以形成若干间隔排列的SiC初始沟槽；去除剩余的第二掩膜层和种子金属层；利用气体刻蚀SiC初始沟槽，以制备SiC最终沟槽；去除剩余的所述第一掩膜层，完成SiC基片沟槽的刻蚀。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524865A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311562267.5
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人西安电子科技大学
地址7100
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