半导体装置用接合线.pdfVIP

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  • 2024-02-07 发布于四川
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提供一种新型Cu接合线,其带来良好的FAB形状,并且第二接合部的接合性也良好,进一步而言在苛刻的高温环境下也能带来良好的接合可靠性。该半导体装置用接合线包括由Cu或Cu合金构成的芯材、及形成在该芯材的表面的含有Cu以外的导电性金属的被覆层,该被覆层在被覆层的厚度方向上,在芯材侧具有以Ni为主要成分的区域,且在线表面侧具有包含Au和Ni的区域,该被覆层的厚度为10nm以上130nm以下,相对于整个线的Au的浓度CAu(质量%)与Ni的浓度CNi(质量%)之比CAu/CNi为0.02以上0.7以下,

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117529802A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202280044069.7(74)专利代理机构北京天达共和知识产权代理

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