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2024-02-07 发布于四川
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本申请公开了一种熔断器的制造方法及器件，方法包括：在介质层上形成金属层；对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使第一目标区域和第二目标区域的介质层暴露，在第一目标区域形成第一沟槽，在第二目标区域形成第二沟槽；在金属层上，以及第一沟槽和第二沟槽中形成钝化层；对第一目标区域、第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，在第一目标区域形成第三沟槽，在第二目标区域形成第四沟槽，在第三目标区域形成第五沟槽；在钝化层、第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽的表面形成保护层；对钝化层上方，第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽底部的保护

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111785680A

(43)申请公布日2020.10.16

(21)申请号202010607902.7

(22)申请日2020.06.30

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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