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晶体管结构及其制造方法.pdfVIP

晶体管结构及其制造方法.pdf

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    本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110957358A

    (43)申请公布日

    2020.04.03

    (21)申请号20191

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