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一种双沟道沟槽器件及其制作方法.pdfVIP

一种双沟道沟槽器件及其制作方法.pdf

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    本申请提供了一种双沟道沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该双沟道沟槽器件包括第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型屏蔽层、第一掺杂区以及第一掺杂类型拓展层，位于所述第二掺杂类型屏蔽层表面的第二掺杂区，位于所述第一掺杂类型拓展层表面的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区表面的第四掺杂区，所述第三掺杂区为第二掺杂类型，所述第四掺杂区为第一掺杂类型；栅氧层，第二掺杂区包裹栅氧层的底部拐角处，第一掺杂区包裹第二掺杂区的拐角处；与栅氧层接触的栅极多晶硅；源极金属以及漏极金属。本申请具有提升了

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117525157A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202410022318.3

    (22)申请日2024.01.08

    (71)申请人通威微电子有限公司

    地址610

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