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一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括光致电离反应材料；对所述晶圆执行一次或多次的工艺制程处理，每次所述工艺制程处理过程中产生第一类电荷；在其中至少一次的工艺制程处理后，对所述晶圆进行光源照射处理，用于在所述光致电离反应材料中产生第二类电荷，所述第二类电荷与所述第一类电荷电性相反，从而对所述工艺制程处理过程中产生的第一类电荷进行中和，进而防止所述第一类电荷在晶圆表面聚集，以防止对器件性能产生不良影响，相应提升了生产制造良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524858A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202210900964.6
(22)申请日2022.07.28
(71)申请人中芯北方集成电路制造（北京）有限
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