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本发明公开了一种多芯片平行回路排布的镜像对称双面散热碳化硅功率模块，包括上DBC基板、下DBC基板、SiCMOSFET功率芯片、多个金属连接块、铜夹、键合线以及功率模块输出端子，其中，SiCMOSFET功率芯片设置在上DBC基板下表面和下DBC基板上表面上，形成平行排布且镜像对称的封装结构；金属连接块用于连接上下DBC基板与SiCMOSFET芯片的源极以及连接上下DBC基板；功率模块输出端子从上下DBC基板的边缘伸出；铜夹用于连接分散的功率芯片的同一电路区域；键合线用于连接功率芯片的栅极和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525048A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311579563.6
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人西安电子科技大学
地址7100
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