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具有PN结结构的3D堆叠场效应晶体管器件.pdfVIP

具有PN结结构的3D堆叠场效应晶体管器件.pdf

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    提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，包括：连接到下沟道结构的第一极性类型的下源极/漏极区；第二极性类型的上源极/漏极区，连接到上沟道结构，在下源极/漏极区上方；以及PN结结构，在下源极/漏极区和上源极/漏极区之间，配置为将上源极/漏极区与下源极/漏极区电隔离，其中PN结结构包括第一极性类型的第一区和第二极性类型的第二区。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117525064A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202310974926.X(51)Int.Cl.

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