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一种111晶向硅单晶小平面的检测方法.pdfVIP

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  • 2024-02-07 发布于四川
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一种111晶向硅单晶小平面的检测方法.pdf

    本发明公开了一种晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：(1)原生晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；(2)对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；(3)对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；(4)对样品进行晶向及棱线位置定位；(5)使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，(6)对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生晶向硅单晶小平面的检测，本发明

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117517367A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311312019.5G01N1/28(2006.01)

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