原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种基于激光直写的单片集成全彩Micro‑LED芯片制备及其方法。该方法包括，在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、n‑GaN、蓝光多量子阱、第一InGaN层、第一n‑InGaN层、绿光多量子阱、第二InGaN层、第二n‑InGaN层、红光单量子阱、第一电子阻挡层，随后逐步刻蚀蓝光和绿光台面结构，重新依次生长第二电子阻挡层、隧道结层和蒸镀ITO层，随后刻蚀形成独立的红、绿、蓝三色LED结构，沉积二氧化硅钝化层后制备p和n电极即得。本发明利用隧道结层与金属电极形成良好的欧姆接触，提高p区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525216A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311417217.8
(22)申请日2023.10.27
(71)申请人武汉大学
地址430072
文档评论（0）