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提高半导体装置的性能。作为其方案，形成一种半导体装置，具有：半导体基板，其具有第一导电型的漂移层、第二导电型的主体区域、以及在漂移层上两侧面与主体区域接触的第一导电型的JFET区域；多个沟槽，其形成于半导体基板的上表面并沿第一方向延伸；以及栅极电极，其隔着绝缘膜形成于沟槽内和半导体基板的上表面上。在单位单元内，由在与第一方向交叉的第二方向上排列多个的沟槽构成的第一沟槽组和由在第二方向上排列多个的沟槽构成的第二沟槽组在第一方向上排列，在第二方向上相邻的沟槽间的源极区域的下表面具有比沟槽浅的通道区域
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529819A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202280041206.1(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限
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