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用固态硼氮源在金属衬底上生长单晶氮化硼的方法.pdfVIP

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  • 2024-02-07 发布于四川
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用固态硼氮源在金属衬底上生长单晶氮化硼的方法.pdf

    本公开披露了一种在金属衬底上生长单晶氮化硼的方法，所述方法包括如下步骤：(一)将固体硼氮源置于金属衬底下方，形成层叠体；(二)将层叠体升温至预定温度，然后在预定温度保温生长0.1‑100h；其中，所述预定温度范围为1000‑1400℃。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117512781A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202310015768.5

    (22)申请日2023.01.05

    (71)申请人北京大学

    地址100871北京

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