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一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2024-02-07 发布于四川
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一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用.pdf

    本申请涉及材料领域，特别涉及一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用。本申请提供一种二硫化钼纳米卷的制备方法，包括以下步骤：1)提供硅片衬底，于硅片衬底表面形成MoS2层；2)使MoS2层浸泡在第一溶液中，后吹干，得到中间产物；3)在中间产物上滴加第二溶液，使中间产物发生卷曲，并迅速吹干终止卷曲，得到二硫化钼纳米卷。本申请提供的方法为自上而下的诱导卷曲法，所需的单层MoS2通过CVD法生长，工艺较为成熟，可以进行大量制备。本发明提供的方法可以通过控制将第二溶液吹干的时机来调节MoS2纳米卷卷曲的程度

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117524845A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202310662087.8

    (22)申请日2023.06.06

    (71)申请人上

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