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本发明提出了一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上波导层与电子阻挡层以及下波导层与下限制层之间均设置有自旋极化电子层。本发明增强激光元件的自旋极化率，激发并提升自旋波传播，同时，内电场可调控自旋波共振模式，使导带和价带完全自旋极化，增强载流子自旋极化和自旋载流子注入激光元件的有源层，提升空穴在注入激光元件有源层的效率，提升激光增益均匀性，从而提升激光元件受激辐射效率，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117526088A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311461293.9
(22)申请日2023.11.06
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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