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本发明公开了基于晶圆曲翘变化的照片曝光偏移补偿控制方法及装置，涉及半导体加工技术领域，其技术方案要点是：沉积掩模后测量照片曝光前的晶圆曲翘；结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值；依据曝光偏移补偿值对晶圆照片曝光进行偏移补偿控制。本发明在照片曝光之前，测量沉积掩模后所形成的晶圆翘曲，结合晶圆曲翘和照片曝光的尺寸参数计算晶圆各处的曝光偏移补偿值，并依据曝光偏移补偿值对照片曝光位置和宽度进行预先调整，使得晶圆翘曲恢复后进行晶圆蚀刻时的位置与照片曝光对齐，有效保证了晶圆各处图形能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117539130A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311482792.6
(22)申请日2023.11.07
(71)申请人成都高真科技有限公司
地址61
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