DB35T 1370-2013发光二极管芯片点测方法.docx

ICS31.260

L45

DB35

福建省地方标准

DB35/T1370—2013

发光二极管芯片点测方法

Probetestmethodforlightemittingdiodechips

2013-12-04发布 2014-03-01实施

福建省质量技术监督局发布

DB35/T1370—2013

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目次

TOC\o"1-5"\h\z前言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4芯片点测条件及步骤 2

1点测条件 2

1. 1 试验条件 2

1. 2 点测仪器 3

4.1.3 点测芯片状态 3

4.1.4点亮条件 3

4.1. 5 驱动方式 5

2 点测步骤 5

电参数点测 5

1 正向电压 5

2 反向电压 5

3 反向电流 5

光参数点测 5

1发光强度 5

6.2辐射功率 5

3峰值发射波谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长 6

6.4主波长和刺激纯度 6

静电放电敏感性点测 6

1人体模式的静电放电敏感性 6

2机器模式的静电放电敏感性 6

参考文献 7

DB35/T1370

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本标准按照GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。本标准由福建省半导体发光器件（LED）应用产品标准化技术委员会归口。

本标准起草单位：厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心。

本标准主要起草人：蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政。

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发光二极管芯片点测方法

1范围

本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。

本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。

本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T5698-2001颜色术语

GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件（IEC60747-5:1992,

IDT)

SJ/T

11394-2009

半导体发光二极管测试方法

SJ/T

11395-2009

半导体照明术语

SJ/T

11399-2009

半导体发光二极管芯片测试方法

3术语和定义

GB/T5698-2001,GB/T15651-1995及SJ/T11395-2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

点测probetest

对芯片光电性能和参数自动检测的方法。采用自动程控测试仪器以探针接触形式，对按一定规则排列的芯片进行瞬态测试，并能按每一颗芯片的位置形成参数分布图。

3.2

参数分布图mappingfile

mapping图

点测芯片后按芯片的位置形成用颜色表示光电参数测试值的彩色图。

3.3

瞬态测试transienttest

采用毫秒級脉冲通电驱动点亮芯片，在短时间内，通过程控测试仪器自动读取相关光电参数值的测试结果，并可同时完成多个光电参数的检测。

3.4

收光器photoreceiver

点测中用来采集被测芯片发光强度或辐射功率的仪器部件。

3.5

载片卡盘chuck

点测中用来承载芯片，并可提供芯片背面电极电性接触的底盘。

3.6

点墨针inkpin对不符合参数要求的芯片点涂墨汁的装置。

3.7

蓝膜bluetape

呈蓝色带有粘性可用来承载或保存芯片的薄膜。

3.8

水平结构芯片lateralLEDchip

P、N电极都在出光面的芯片，也称同侧电极结构芯片。

9

垂直结构芯片verticalLEDchip

P、N电极分别在正背（上下）两面的芯片，也称非同侧电极结构芯片。

3.10

标准样品referencematerial

用来校对芯片光电参数值的样品。

4芯片点测条件及步骤

4.1点测条件

4.1.1试验条件

1.1.1标准大