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一种降低200mm半导体级单晶硅缺陷的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：设计至少两种用于对200mm半导体级单晶硅进行拉制的热场，得到对应各热场的热场参数；步骤2：分别针对设计的每个热场，利用各热场的热场参数进行仿真模拟，得到仿真模拟结果；步骤3：对各热场的仿真模拟结果进行综合分析，从设计的至少两种热场中筛选出拉制200mm半导体级单晶硅时产生缺陷最少的最优热场；步骤4：按照最优热场的参数在单晶炉中进行热场部署，并进行200mm半导体级单晶硅的拉制。本方案能够节省拉晶时间和实验成本，同时能够
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117535784A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311506894.7G06F111/10(2020.01)
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