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本实用新型提供了一种碳化硅生长装置及碳化硅生长系统,涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅生长装置包括第一坩埚、籽晶结构和第二坩埚。第一坩埚包括坩埚主体和坩埚盖;坩埚主体内设有第一容纳空间,坩埚主体的底部设有通孔;坩埚盖盖设于坩埚主体顶部。籽晶结构设于坩埚盖上。第二坩埚内设有用于装盛碳化硅粉料的第二容纳空间;第二坩埚顶部开口,第二坩埚连接于坩埚主体底部,开口和通孔连通。本实用新型提供的碳化硅生长系统采用了上述的碳化硅生长装置。本实用新型提供的碳化硅生长装置及碳化硅生长系统能够提升长出的碳化硅晶体的尺寸
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220468248U
(45)授权公告日2024.02.09
(21)申请号202322340710.6
(22)申请日2023.08.29
(73)专利权人通威微电子有限公司
地址61
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