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片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件.pdfVIP

片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件.pdf

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    本发明提供一种片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件，片上全光开关包括衬底、设置于衬底上表面的绝缘层、设置于绝缘层上表面的二维拓扑绝缘体层、设置于二维拓扑绝缘体层上表面的隔离层，设置于隔离层上表面的微纳阵列层；微纳阵列层与二维拓扑绝缘体层在不同偏振方向和/或不同波长泵浦光的激发下产生增强或者抑制的光学饱和吸收效应，增强的饱和吸收是基于微纳阵列层的局域表面的等离子激元共振诱导的高浓度电场形成的，抑制的饱和吸收是基于双光子吸收形成的。通过改变泵浦光的偏振方向或波长，探测光的透射率强度会被调

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117539105A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311444480.6

    (22)申请日2023.11.01

    (71)申请人中国人民解放军军事科学院国防科

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