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ITO是什么?;;;位置:LD、ULD连接Buffer,CF产线共有一台PVD,PVD的Tacttime为65S。;1.PVD在CF中的位置及作用;2.PVD概念简介;2.成膜反应图示;2.PVD的优点;2.PVD的规格;Chiller;①LD/ULDchamber(搬入、搬出腔室)
②Bufferchamber(缓冲腔室)X2
③Processchamber(制程腔室)X2
④Rotationchamber(旋转腔室);①干泵
A:Load/Unload腔室各4台
B:制程腔室和旋转腔室2台
C:阴极室1台
②分子泵(TMP)
除Load/Unload腔室没有外,其他腔室共16台;4.PVD设备简介-3;4.PVD设备简介-真空计;4.PVD设备简介-Pump;4.PVD设备简介-Pump;Carrier上部依靠磁导轨传送,下方通过马达联动Roller传送;名称;1.Nodule更少
2.利用率高
3.减少PM频率,提高稼动率;Carriercart;4.PVD设备简介-ShieldingBOX;;5.Handling设备Layout-常用;5.Handling设备-1;4.Handling设备-2;5.Handling设备-3;5.Handling设备-4;;膜厚值主要决定于power的大小、Carrier的速度,一般Tact是不变化的,主要通过Power的变化来对膜厚的调整。;膜厚确定后,透过率随入射光波长的变化;Wavelenght;
?Resistance
?取Bottom氧气量
?即在既定的氧气量中选最低的阻抗.
?量产进行中由于Carrier污染或CF基板自带Gas(O2),Sheet阻抗随着Bottom氧气量发
生变化,因此Sheet阻抗上升后减少氧气量.
?Point别30[Ω/□]以下管理
;成膜温度(℃);;7.Carrier特殊设计;;平面靶材;感谢阅读
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