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2024-02-14 发布于四川
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本发明属于半导体技术领域，具体为一种半导体元件，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱、p型半导体层和p型接触层。所述p型接触层上方设置为透明导电层，所述透明导电层为ITO材料，厚度为50～5000埃米；所述透明导电层上方为金属电极，所述金属电极的材料为Cr、Al、Ag、Ti、Ni、W、Pt、Au、Pd、Rh、Cu的任意一种或任意组合。提升p型接触层的Mg离化效率和溶解度，提升空穴浓度，降低半导体元件的电阻和电压，同时，降低p型接触层与透明导电层的接触电阻和带阶，使半导体元

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117558843A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202311223207.0H01L33/14(2010.01)

(22)申请日2023.09.

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